4/12-15 学習内容

【ビデオ視聴】
対訳シリーズ・岡野の化学・その他
・0201 P&G特許を読む(91)
・0202 P&G特許を読む(92)
・0203 P&G特許を読む(93)
・0204 P&G特許を読む(94)
・0205 P&G特許を読む(95)
・0206 P&G特許を読む(96)
・0207 P&G特許を読む(97)

・TC0038 岡野の化学(38)
・TC0039 岡野の化学(39)
・TC0040 岡野の化学(40)

・1792 露天掘のやり方(生体材料編)
・1793 受講生ブログの活用法
・1795 「一は全、全は一」の発想法

【読んだ特許】
・半導体装置の製造方法および半導体製造装置

【届いた本】
・新材料科学の最前線 - 未来を創る「化学」の力  講談社ブルーバックス
・新しい物性物理 ‐物質の起源からナノ・極限物性まで  講談社ブルーバックス

 

ブログの更新がまとめてになってしまいましたが、やっとP&G特許が終わりました。
ちょっと時間かかりすぎですね…
次の対訳シリーズに進む前に、少し岡野を集中して進めたいと思っています。

そして「一は全、全は一」の発想法のビデオを観て、まずはもう一本吸光分析の特許を読もうと思ったんですが、ちょうどよさそうなのがなかったので、ではCMP法関連の特許を読んでみました…のはずが、読んでから実はCMP法に関する特許ではなくて、CMP法だと研磨ダメージが生じるから違う方法で、というものだと気づきました… がーん。

こちらも一応要約は以下です。

—————————–

近年、半導体装置の製造において、CMR(化学機械研磨)法が広く用いられているが、CMP法では、砥粒による機械的なダメージを避けることができず、被加工面に研磨ダメージが生じる、という問題がある。

そこで、以下の工程を繰り返すことにより、上記研磨ダメージを与えることなく被加工面を平坦化する。

1.被加工物:半導体ウエーハ上の金属膜に、第一触媒(酸化性)を接触
   ⇒金属膜から電子を奪い、酸化を促進
    例)金属膜がタングステンの場合
      W → W⁴⁺ + 4e⁻

2.金属膜表面の金属原子が、処理液(純水:H₂O、過酸化水素:H₂O₂等)の酸素イオンに反応
   ⇒金属膜表面に酸化膜が成膜
    例)
       W⁴⁺ + 4e⁻ + 2H₂O → WO₂ + 2H₂

3.第二触媒(塩基性)を金属膜に接近または接触
   ⇒上記処理液中の水酸化物イオンが第二触媒の表面に吸着
   ⇒金属膜表面の酸化膜が溶解され、処理液中に溶出
    例)
      WO₂ + 2OH⁻ → WO₃⁻ + H₂O

—————————–

そもそも機械的な研磨の部分がなくて、化学的研磨のみ、という感じでしょうか。

イメージはできますが、酸化・還元とイオンのあたりがまだ弱いので、この辺もう一度復習してみます。

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